Ränikarbiid SIC98

► Kõrge kõvadusega.
►Tugev lõikevõime.
►Keemiliste omaduste poolest stabiilne.
►Rohelise ränikarbiidi soojusjuhtivus – hea soojusjuhtivusega.

Küsi pakkumist

Kirjeldus

Loodusliku ränikarbiidi ja moissaniidi (tuntud ka kui moissaniit) sisaldus on väga väike. Tööstuses kasutatav ränikarbiid on sünteetiline materjal, mida tavaliselt tuntakse smirgelina. 1891. aastal avastas Ameerika teadlane Acheson kogemata sulatatud teemandiga tehtud katses karbiidi. Sel ajal arvas ta ekslikult, et see on teemantide segu, mistõttu ta nimetas selle smirgeliks.

Samal aastal uuris Acheson ränikarbiidi tööstusliku sulatamise meetodeid. Seda tuntakse ka Achesoni ahjuna ja see on endiselt kasutusel. See on takistusahi, mis kasutab ahju südamikuna süsinikku sisaldavat materjali ja soojendab elektriliselt kvartsist SiO2 ja süsiniku segu, et tekitada ränikarbiidi SIC98.

Spetsifikatsioon

Mudel	komponent%
60#	Sic	F.C		Fe2O3
65#	60 min	15-20	8-12	3,5 max
70#	65 min	15-20	8-12	3,5 max
75#	70 min	15-20	8-12	3,5 max
80#	75 min	15-20	8-12	3,5 max
85#	80 min	3-6		3,5 max
90#	85 min	2,5 max		3,5 max
95#	90 min	1.{1}}max		1,2 max
97#	95 min	0.6 max		1,2 max

Silicium Carbide Factory

Silicium Carbide Suppliers

Tööstuslikult toodetud ränikarbiidist SIC98 liiv sisaldab lisaks põhikomponendile SiC tavaliselt lisandeid. Need lisandid hõlmavad peamiselt:

(1) Vaba räni. Osa sellest on lahustunud SiC kristallides ja osa moodustab oma lisanditega (nagu raud, alumiinium, kaltsium jne) sulami ning kleepub kristalli külge või on kristalli sisse lülitatud.

(2) Vaba ränidioksiid. Tavaliselt leidub kristallpindadel. Enamik neist on põhjustatud SiC kontaktoksüdeerumisest õhus oleva hapniku või veeauruga takistusahju jahutamise käigus. Kui koostisainetes on räni toorainet liiga palju, aurustub see ka ränikarbiidi kristalli pinnale ja kondenseerub ning ahju võib ilmuda valge ja kohev SiO2.

(3) Süsinik. Osa süsinikust on mähitud SiC kristallidesse ja osa sellest moodustab metallilisanditega karbiide. Kui koostisainetes on liiga palju süsinikku, on nähtavad vabad süsinikuosakesed.

(4) Raud, alumiinium, kaltsium, magneesium jne. Ahju kõrge temperatuuri redutseeriva atmosfääri tõttu on enamik neist kristallvaluplokis sisalduvatest lisanditest legeeritud või karbiidi olekus. Lisandid nagu raud, magneesium ja kaltsium ei sisene kristallvõresse, vaid kogunevad terade piiridesse ja pooridesse. Peamised SiC võre sisenevad lisandid on lämmastik, alumiinium ja alumiinium, millel on oluline mõju kristalli juhtivustele.