3 mm ränikarbiidi tootmisprotsess
Kuju: tüki / pulbri kuju
Ränikarbiidi pulber tulekindlaks
Kirjeldus
Kirjeldus
Ränikarbiid on pooljuhtmaterjal, mida kasutatakse paljudes rakendustes, sealhulgas jõuelektroonikas, kõrgtemperatuurilises elektroonikas ja mikroelektroonikas. Ränikarbiid (SiC) on vastupidav ja talub karmi keskkonda, mistõttu on see ideaalne valik suure võimsusega elektroonikaseadmete ja rakenduste jaoks. Aga kuidas ränikarbiidi toodetakse?
Ränikarbiidi tootmine hõlmab keerukat tootmisprotsessi, mis hõlmab mitut etappi, millest igaüks aitab kaasa materjali lõplikule kvaliteedile. Siin on põhjalik ülevaade ränikarbiidi tootmisprotsessist:
1. Tooraine ettevalmistamine: Tootmisprotsessi esimene samm on tooraine ettevalmistamine. Peamised ränikarbiidi tootmisprotsessis kasutatavad toorained on räniliiv ja süsinik. Ränidioksiidliiv kuumutatakse kõrgel temperatuuril (umbes 2000 kraadi) elektriahjus, kus see segatakse süsinikuga, moodustades ränidioksiidi.
Spetsifikatsioon
| Mudel | Komponendi protsent | |||
| 60# | Sic | F.C | Fe2O3 | |
| 65# | 60 min | 15-20 | 8-12 | 3,5 max |
| 70# | 65 min | 15-20 | 8-12 | 3,5 max |
| 75# | 70 min | 15-20 | 8-12 | 3,5 max |
| 80# | 75 min | 15-20 | 8-12 | 3,5 max |
| 85# | 80 min | 3-6 | 3,5 max | |
| 90# | 85 min | 2,5 max | 3,5 max | |
| 95# | 90 min | 1.{1}}max | 1,2 max | |
| 97# | 95 min | 0.6 max | 1,2 max | |
2. Keemiline puhastamine: eelmises etapis toodetud ränikarbid sisaldab lisandeid, mis tuleb materjali kvaliteedi parandamiseks eemaldada. Keemiline puhastamine hõlmab SiC töötlemist erinevate kemikaalide ja lahustitega, et eemaldada lisandid ja parandada materjali koostist.
3. Kuju ja suuruse juhtimine: Seejärel kujundatakse puhastatud ränikarbiidi kuju ja suurus vastavalt konkreetsetele kasutusnõuetele. Materjali saab vormida erineva kujuga, sealhulgas klotside, silindrite, ketaste ja plaatidena. SiC materjali suurust saab ka reguleerida, et see vastaks konkreetsetele rakendusnõuetele.
4. Paagutamine: vormitud ja mõõtmetega SiC materjal paagutatakse seejärel kõrge temperatuuriga ahjus, et parandada selle mehaanilisi omadusi. Paagutamine hõlmab SiC materjali kuumutamist kõrgel temperatuuril (kuni 2500 kraadi) kontrollitud keskkonnas, et siduda materjali osakesed tahkeks massiks.
5. Viimistlemine: ränikarbiidi tootmisprotsessi viimane etapp on viimistlusprotsess. See hõlmab SiC materjali lihvimist ja poleerimist, et parandada selle pinna kvaliteeti ja saavutada soovitud viimistlus. Valmis SiC materjal on seejärel valmis kasutamiseks erinevates rakendustes.
Ränikarbiidi tootmisprotsess on keeruline ja aeganõudev protsess, mis nõuab igas etapis hoolikat tähelepanu detailidele. Saadud materjal on aga mitmekülgne ja vastupidav pooljuht, mida saab kasutada erinevates rakendustes, sealhulgas jõuelektroonikas, kõrgtemperatuurielektroonikas ja mikroelektroonikaseadmetes. Kuna nõudlus suure jõudlusega elektroonikaseadmete järele kasvab, eeldatakse, et ränikarbiidi tootmine kasvab ja areneb ka järgmistel aastatel.
KKK
K: Kas olete tootja või kaupleja?
V: Me valmistame.
K: Kuidas on toodete kvaliteet?
V: Tooteid kontrollitakse enne saatmist rangelt, nii et kvaliteet võib olla tagatud.
K: Kuidas on lood teie ettevõtte sertifikaadiga?
V: ISO9001 ja katsearuanne.
K: Mis on proovitellimuse MOQ?
V: Piiranguteta, saame pakkuda parimaid soovitusi ja lahendusi vastavalt teie seisundile.
Kuum tags: 3 mm ränikarbiidi tootmisprotsess
Küsi pakkumist
Ju gjithashtu mund të pëlqeni